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課程名稱 |
半導體元件與奈米電晶體
From Fundamentals of Semiconductor Devices to Nanometer-Scale CMOS Transistors |
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開課學期 |
110-1 |
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授課對象 |
電機資訊學院 電子工程學研究所 |
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授課教師 |
陶 元 |
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課號 |
EEE5061 |
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課程識別碼 |
943 U0630 |
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班次 |
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學分 |
3.0 |
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全/半年 |
半年 |
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必/選修 |
選修 |
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上課時間 |
星期三4(11:20~12:10)星期五3,4(10:20~12:10) |
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上課地點 |
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備註 |
上課地點：博理112
總人數上限：300人 |
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課程簡介影片 |
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核心能力關聯 |
核心能力與課程規劃關聯圖 |
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課程大綱
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為確保您我的權利,請尊重智慧財產權及不得非法影印
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課程概述 |
1. 能帶圖、費米能階、帕松方程式
2. 載子傳輸、生成與復合
3. p-n接面，金氧半電容
4. 蕭基二極體、大電場效應
5. 場效電晶體、非漸進通道模型
6. 場效電晶體微縮原理
7. 無礙傳輸場效電晶體及散射理論
8. 互補式場效電晶體微縮及設計
9. 互補式場效電晶體特性分析
10. 平面電晶體微縮限制
11. 絕緣層上矽、雙閘極、閘極環繞式電晶體
12. 記憶體: SRAM, DRAM, Non-volatile RAM |
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課程目標 |
課程內容包含固態元件、p-n接面、金氧半電容元件、場效電晶體、雙極性電晶體等等之元件物理。讓學生對場效電晶體及雙極性電晶體微縮原理 (奈米層級) 和其高頻特性在數位和類比電路的應用能具備完整的認知。在絕緣層上矽 (silicon-on-insulator, SOI)、鰭式電晶體 (FinFET)、無礙傳輸場效電晶體 (ballistic MOSFET)、非漸進通道模型 (non-GCA model)、記憶體等先進元件及電路概念方面，也能讓學生能有完整的了解。
培養學生能學習以上概念，對現今電腦及通訊裝置中數以十億計的積體電路晶片能有更深入的了解。 |
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課程要求 |
建議預修科目:近代物理
期中考 50%
期末考 50% |
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預期每週課後學習時數 |
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Office Hours |
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指定閱讀 |
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參考書目 |
教科書： Fundamentals of Modern VLSI Devices, Yuan Taur and Tak H. Ning, 2nd edition, Cambridge University Press, 2013. |
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評量方式
(僅供參考) |
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